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在IT上一篇《风起于小米100》 ，浪成于LPDDR在5背后的内存江湖(上)中，希元简单地为大家普及了小米10带火的科普LPDDR5内存到底是什么，顺便梳理一下LPDDR内存的演变。

根据计划，这篇文章将与大多数人合作IT小伙伴们现在就分享一下DRAM存储市场的发展，中国在DRAM领域进展。无论是否考虑当前的国际形势，中国在半导体行业自力更生的这一步必然会迈出，因此本文还将介绍当前的国内形势DRAM内存行业走到了哪一步？

一、共同瞄准1Z纳米工艺

经常刷IT小伙伴们一定知道，计算机系统结构的存储器有三种：缓存、内存和存储。

缓存通常用于SRAM，虽然对运行速度的要求最高，但这么多年来对容量等要求变化不大。存储是指我们通常所说的闪存，包括硬盘，U盘等，其容量需求增长过快，存储介质也在发生变化。

▲图自：torange

所以，只有内存DRAM市场一直是最稳定、最大的。

就DRAM就市场格局而言，经过50多年的竞争和发展，现在是全球DRAM寡头垄断形成了市场。

根据公开信息，2018年三星，SK海力士和美光在DRAM全球市场占46%、29%、21%，三家公司占95%以上。

LPDDR这三家供应商自然是主要的。

内存不像工艺工艺CPU那样正朝着5nm、3nm进发。在工艺进入20nm此后，内存制造难度越来越大，行业也遇到了一些瓶颈。在10纳米级别上，行业将其分为三代节点，即1Xnm（16-19nm）、1Ynm（14-16nm）、1Znm（12-14nm）。

以最强大的三星为例。下图是三星官方给出的LPDDR内存量产历史：

2018年7月，三星开始量产1Y纳米工艺的LPDDR4X内存。

再往后，2019年3月，他们已经在开发1Z纳米工艺的DRAM，计划于2019年下半年开始量产。

这一技术进步在三巨头中已经领先。

LPDDR2018年7月，三星开发了8个方面Gb的LPDDR5内存，2019年7月18日，已开始为高端智能手机量产12款Gb LPDDR5内存，工艺为1Y纳米。

IT三星之前的家庭报道过Galaxy S我们可以看到，目前三星已经完成了16条新闻Gb LPDDR5。

众所周知，小米10系列LPDDR5供应商还包括三星和美光。并且小米10系列先期采用的是美光的LPDDR5。其实美光在LPDDR工艺研发进展也比较顺利。例如，这次交付给小米10LPDDR5内存也是1Y纳米工艺。

此外，美光已于2019年8月开始量产1Z纳米的DRAM（16Gb DDR4)并计划在今年晚些时候推出相关产品。

海力士进展缓慢，直到2019年4月才宣布销售Y今年纳米工艺的内存芯片CES 只是在2020年展出了LPDDR5原型内存解决方案。目前正在努力提高1Znm工艺16Gb DDR4.量产正在积极扩展到LPDDR今年5等市场也有望大规模生产。

总体来说，1Z纳米工艺是行业巨头下一步攻关的重点，今年晚些时候我们会看到实际的产品。当然，它可能不适合手机LPDDR内存。

二、中国DRAM产业，栉风沐雨四十年，迎追赶良机

先和IT家庭伙伴分享一组更令人心碎的数据。

根据IC Insights调查报告显示，2016年，中国当地市场消费 1070 半导体产品亿美元，需求量约占全球30%。

根据光大证券《2017年中国集成电路产业现状分析》报告中给出的中国核心集成电路自给率数据，DRAM0%的自给率。基本上完全依赖进口状态。

当然，这些数据是2016年和2017年的数据，在中国已经有几年了DRAM这个行业也取得了一些可喜的进展，下面我们就来说说。

喜元刚才介绍DRAM相信大家都知道全球产业格局的基本情况。

在这样的寡头垄断局面下，中国DRAM仓储行业有机会破局吗？我们到底在哪里？

接下来，西元不妨告诉你中国DRAM产业的发展情况。

说起来，中国DRAM事实上，该行业的发展还不算太晚。它有40多年的发展历史，但受技术、市场、产业链等因素的影响，并没有真正发展成为一个成熟的产业体系。

1975年，王阳元等北京大学物理系半导体研究小组在109厂采用硅栅N通信技术生产中国第一块K DRAM。

1978年，中国科学院半导体研究所成功开发了4个K DRAM；然后在1981年成功开发了16年K DRAM。

1986年-1989 中科院742年 华晶电子集团与永川半导体无锡分公司合并成立，成功开发了中国第一个 64k DRAM，采用的是 2.5 微米工艺。

90年代，中国DRAM该行业开始尝试早期的市场化探索。

其中，国务院八五计划无锡华晶电子(1990-1995) 15 亿元资金的支持下建设了月产能1.2万片6英寸晶圆厂，并在1993年首次成功研发 256K DRAM。

▲无锡742厂华晶微电子前身

1995年和1999年，1999年NEC和华虹NEC分别推出了4M DRAM和64M DRAM内存芯片，特别是后者采用0.35微米工艺，也达到了当时行业的主流水平。

首钢NEC和华虹NEC均有当时的IT巨头日本NEC公司投资背景。例如华虹NEC上海市政府5 华虹微电子和日本由1亿美元组成 NEC日本联合成立NEC投资2亿美元。

类似的探索大约在21世纪的前十年，在政府的支持下，自主研发 主要特点是技术引进。

这一时期的探索最终不是很成功，主要受技术、设备封锁、海外合作厂商衰落等因素的影响，但这些也是中国的DRAM产业积累了宝贵的经验和人才基础。

2010年以后，中国DRAM产业取得了新的发展形势。

在此期间，海外并购成为主要特征。这里举两个重要的并购事件，即2015年紫光收购奇梦达和大陆资本收购 ISSI。

先说第一个。奇梦达的前身是德国英飞凌科技2003年在中国西安成立的存储器事业部，后来独立成为奇梦达科技。所以，它是德国的。

然而，奇梦达科技在2009年破产时遇到了困难。同年被浪潮集团收购，更名为西安华芯半导体有限公司。

后来，2015年，紫光集团子公司紫光国芯有限公司收购了西安华芯半导体(我们称之为奇梦达)，收购后的公司名为西安紫光国芯半导体有限公司。

这次收购填补了国内DRAM芯片设计的空白。紫光已于2017年开展DDR当时存储芯片和模块的设计和开发IT之家也做了相关报道。

然而，紫光的业务重心并不在DRAM虽然当时这么说，但似乎直到2019年才有实际行动。

二是大陆资本收购 ISSI。ISSI它是一家成立于1988年的美国公司，擅长设计、开发高速、低功耗SRAM中/低密度DRAM、NOR闪存产品主要用于汽车、工业、医疗、消费电子等专业领域。

ISSI2015年12月从纳斯达克退市，以武岳峰资本为主的中国资本联合体完成了对策ISSI北京硅成是私有化收购的主体。在私有化有化过程中，美国遭遇了Cypress的阻挠。后来，北京硅成几乎被兆易创新和思源电气收购，最终实现了北京君正的资本化。整个过程也是曲折的。

一般来说，收购ISSI标志着海外 DRAM 制造商首次整合到中国的存储行业。

然而，这两次重要的收购是国内的DRAM存储市场带来的是芯片设计的能力，而不是从设计到制造到包装测试的系统能力（IDM）。

从2014年到现在，中国的存储业真的开始了IDM 时代迈进。

目前，国产DRAM紫光国芯、福建晋华、合肥长信、长江存储等市场主要玩家。合肥长信目前比较乐观。

由于近年来中国对半导体存储器行业的集中投资逐渐取得成效，如果中国成立的存储器企业实现大规模生产，将对行业巨头构成巨大威胁。正如我们前面所说，近三分之一的全球半导体需求来自中国。如果中国能够自给自足，这些巨头将如何做生意？

自2016年以来，美国存储巨头美光一直在向台湾联电和福建晋华提起诉讼。诉讼原因无非是侵犯知识产权，但这些诉讼要么没有结果，要么被美国联邦法院驳回。台湾联电与福建晋华此前曾建立过合作关系。

▲图自：福建晋华官网

这些诉讼纠纷才刚刚开始。

最后，美国商务部于2018年10月30日发布公告，确认美国工业安全局的实施BIS将福建晋华纳入实体清单的决定规定，所有美国公司不得向福建晋华销售所有软件、设备和技术服务，无需申请特殊豁免。

这项禁令无疑使刚刚改善的国内禁令DRAM仓储市场突然陷入阴霾。

福建晋华作为中国十三五集成电路重大产能布局规划中的企业，成为2018年底的第二个ZTEDRAM量产计划也被搁置，目前进展不理想。

同时业界也在担忧中国另一家DRAM合肥长信仓储是否会成为下一家被钳制的企业。

合肥长信存储技术有限公司是由合肥市政府投资平台合肥生产投资和国内领先企业赵毅创新于2016年5月共同投资的，也是安徽省最大的单一投资工业项目。

事实上，2017年，美光向从台湾华亚科跳槽到合肥长信的数百名员工发出了一封存款信，表明美光已关注合肥长信。

▲图自：合肥长信官网

有一段时间，业内有很多猜测，众说纷纭。讨论的关键之一是合肥长信的技术来自哪里？

相信IT朋友们也明白这一点的重要性。首先，我们必须确保我们使用的技术本身没有问题。

最后，2019年5月，合肥长信表示，他们DRAM 技术基础来自德国奇梦达半导体。

是的，就是十年前我们前面提到的奇梦达。

在宣布破产之前，奇梦达已经成功地DRAM基础堆叠技术Buried Wordline(埋入式闸极字元线连接)，实验室研发已达到46nm但是因为之前走了弯路，资金不可持续，所以倒闭了。

▲图自：中国闪存市场峰会、长信存储的演讲环节

虽然奇梦达倒闭了，但他们的技术还是挺先进的，并且造福了几家半导体公司，包括合肥长信存储。通过与奇梦达的合作，他们获得了1000多万份相关信息DRAM技术文件及2.8TB数据。

这些技术资料是合肥长信进一步创新发展的基础。DRAM也能延续火种。

▲图自：中国闪存市场峰会、长信存储的演讲环节

目前，合肥长信已于2019年底开始量产国内首批19nm的8Gb LPDDR4内存，即上述1Xnm工艺。

这意味着他们已经是国内第一家也是唯一一家DRAM换句话说，他们可能是中国的制造商DRAM突破自给率的第一步。

此外，合肥长信8 Gb